▲압도적 1위를 자랑하는 갤럭시S6 엣지의 안투투 벤치마크 결과(사진: 폰아레나)

해외 스마트폰 전문 매체 폰아레나는 2일(현지시간) ‘갤럭시S6 Vs 갤럭시S5, 업그레이드해야하나?“라는 제목의 기사에서 ‘갤럭시S6 엣지’의 실제 기기를 사용해 계측한 각종 벤치마크 결과를 공개했다.

그 결과는 경쟁사 제품들의 벤치마크 테스트 결과를 무의미하게 만들만큼 압도적인 ‘갤럭시S6 엣지’의 점수였다.

안드로이드 스마트폰 벤치마크 프로그램의 대표격인 ‘안투투(Antutu) 벤치마크’ 결과, 갤럭시S6 엣지는 69,019점으로 전작 ‘갤럭시S5’의 45000점은 물론 약 50000점 대의 ‘갤럭시 노트4’, ‘메이주 MX4’ 등도 큰 점수차로 따돌렸다.

AP의 성능을 평가하는 기크벤치(GeekBench) 테스트에서도 싱글 코어 성능은 1475, 멀티 코어 성능은 5004라는 높은 점수를 기록했다.

두 벤치마크에서 갤럭시S6 엣지가 높은 성적을 얻은 것은 AP로 채용된 삼성전자 독자개발 ‘엑시노스 7420’의 강력한 성능 때문으로 분석됐다.

경쟁작으로 꼽히는 퀄컴의 스냅드래곤 810 AP를 탑재한 LG전자의 G플렉스2는 기크벤치 테스트에서 싱글코어 1144점, 멀티코어 4345점을 기록한 바 있어, AP 성능경쟁에서는 일단 삼성전자가 압도적인 우세승을 거둔 것으로 평가된다.

▲내장 플래시 메모리의 강력한 속도가 부각된 안드로벤치 결과(사진: 폰아레나)

저장용 내장 메모리의 성능을 테스트한 결과, ‘순차 쓰기(sequential write)’ 속도에서 갤럭시S6 엣지는 139.08MB/s로 갤럭시S5의 24.2MB/s보다 5.75배에 달하는 성능 향상을 보였다. ‘순차 읽기(sequential read)’ 속도는 314.87MB/s로 갤럭시S5(176.5MB/s)의 약 1.78배 수준이었다.

특히, 스마트폰 읽기 속도의 핵심이랄 수 있는 ‘랜덤 읽기(random read)’ 속도는 77.2MB/s로 갤럭시 S5(13.7MB/s)의 약 5.64배에 달했다.

이같은 압도적인 성능 차이는 이전까지의 스마트폰이 eMMC 방식의 플래시 메모리를 탑재한 것과 달리 갤럭시S6 엣지가 UFS 2.0 기술을 채용한 때문으로 분석됐다.

업계 전문가는 “eMMC 메모리의 느린 속도를 UFS 2.0 채택을 통해 SSD 수준으로 올린 것”이라며, “삼성전자가 그동안 별도의 외장 메모리 슬롯을 제공하던 정책을 포기하고 갤럭시S6에서 애플처럼 메모리 추가가 불가능한 구조를 선택한 것을 ‘애플 따라하기’로 매도하는 시각이 있는데, 사실 외장 메모리를 포기한 것은 UFS 2.0 채택을 통한 속도 향상을 노린 때문”이라고 설명했다.