삼성전자, ‘128GB D램 모듈’ 양산…최대 용량·최저 소비전력 ‘과시’
3차원 TSV기술 적용…용량·속도 2배, 소비전력 50% 절감
정의식기자 |
2015.11.26 17:11:10
▲삼성전자 128기가바이트 TSV D램 모듈. (사진제공=삼성전자)
TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술은 D램 칩을 일반 종이 두께의 절반보다도 얇게 깎은 다음, 수백 개의 미세한 구멍을 뚫고, 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술이다.
삼성전자는 지난해 8월 TSV 기술로 ‘64기가바이트 DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈’ 양산에 성공한데 이어 이번 ‘128기가바이트 TSV D램 모듈’ 양산으로 D램 용량의 한계를 돌파했다.
이 제품은 최고 용량뿐만 아니라 초고속, 초절전, 고신뢰성 등의 강점을 갖춘 차세대 엔터프라이즈 서버와 데이터센터를 위한 최고의 솔루션이다.
삼성전자의 최신 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) DDR4 D램 칩 총 144개로 이루어져 있으며, 외관상으로는 각 칩을 TSV적층 기술로 4개씩 쌓은 패키지 36개가 탑재된 모습이다.
기존 와이어(금선)을 이용한 64기가바이트 D램 모듈에 비해 용량뿐만 아니라 속도도 2배 정도 빠른 2400Mbps를 구현하면서도 (최대 3200Mbps까지 가능) 소비전력량을 50%나 줄였다.
삼성전자는 올해 중에 TSV 기술을 적용한 ‘128기가바이트 DDR4 LRDIMM’ 제품도 양산해 ‘TSV 풀라인업’을 제공하고, 20나노 8기가비트 D램의 생산 비중도 늘릴 예정이다.
주요 기사
![[내예기] ‘데이터센터’에 꽂힌 건설사들…시공 넘어 운영까지](https://www.cnbnews.com/data/cache/public/photos/cdn/20240416/art_1713492683_176x135.jpg)
![[데스크칼럼] 4.19정신이 오늘 우리에게 말하는 것](https://www.cnbnews.com/data/cache/public/photos/cdn/20240416/art_1713316995_176x135.jpg)
![[가보니&비즈] “샀으면 가져가세요”…작품 파는 현대백화점 ‘아트 투 고’ 방문기](https://www.cnbnews.com/data/cache/public/photos/cdn/20240416/art_1713249457_176x135.jpg)
![[가보니&비즈] “암표 상상불가”…현대카드, ‘NFT 티켓’으로 전시회 열다](https://www.cnbnews.com/data/cache/public/photos/cdn/20240416/art_1713331786_176x135.jpg)
![[내예기] ‘데이터센터’에 꽂힌 건설사들…시공 넘어 운영까지](https://www.cnbnews.com/data/cache/public/photos/cdn/20240416/art_1713492683_78x71.jpg)
ⓒ 2004~2024 Copyright by CNBNEWS. All rights reserved. (주)CNB미디어 사업자등록번호 : 206-81-40424 전화 02-396-3733 FAX:02-396-7330
대표이사 : 황용철 서울시 서대문구 연희로 52-20 정기간행물 등록번호 : 서울아00105 (2005.11.7) 발행일 : 2005.4.11 CNB뉴스 발행인·편집인: 황용철, 편집국장 : 도기천,
청소년보호책임자 : 류창림, CNB뉴스에 실린 내용 중 제휴기사, 칼럼 등 일부 내용은 CNB뉴스의 공식 견해와 다를 수 있습니다.
대표이사 : 황용철 서울시 서대문구 연희로 52-20 정기간행물 등록번호 : 서울아00105 (2005.11.7) 발행일 : 2005.4.11 CNB뉴스 발행인·편집인: 황용철, 편집국장 : 도기천,
청소년보호책임자 : 류창림, CNB뉴스에 실린 내용 중 제휴기사, 칼럼 등 일부 내용은 CNB뉴스의 공식 견해와 다를 수 있습니다.