▲삼성전자의 3세대 256기가비트(Gb) V낸드.(사진제공=삼성전자)

256기가비트 V낸드는 데이터를 저장하는 '3차원 셀(Cell)'을 기존(32단)보다 1.5배 더 쌓아 올리는 ‘3세대(48단) V낸드 기술’이 적용된 업계 최고 용량의 메모리 칩이다.

셀이 형성될 단층을 48단으로 쌓고, 약 18억 개의 원형 홀을 수직으로 뚫은 다음, 총 853억 개 이상의 셀을 고속 동작시키는 구조다. 각 셀마다 3개의 데이터(3비트)를 저장할 수 있어 총 2560억 개의 데이터를 읽고 쓸 수 있다. 
 
칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트(GB) 용량의 메모리카드를 만들 수 있으며, 기존 128기가비트 낸드가 적용된 SSD와 동일 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있다.

삼성전자는 현재까지 업계에서 유일하게 V낸드를 양산하고 있으며, 작년 8월 2세대(32단) 3비트 V낸드를 생산한데 이어 1년만에 3세대 3비트 V낸드를 본격 양산에 성공, 3차원 메모리 기술 리더십을 확고히 했다.
 
특히 이번 256기가비트 V낸드는 쓰기 성능과 절전 효과를 동시에 높여 글로벌 고객들이 효율적인 차세대 대규모 스토리지 시스템을 구축하는 데 크게 기여할 전망이다.

삼성전자는 지난 달 2테라바이트(TB) SSD 제품 출시를 계기로 본격 추진하고 있는 ‘테라 SSD 대중화’를 더욱 앞당기기 위해 3세대 V낸드 생산을 위한 투자를 계획대로 추진해 나갈 예정이다.