삼성전자, 세계최초 ‘10나노급 8Gb DDR4 램’ 양산 성공
20나노 대비 생산성·속도 30% 이상 향상…소비전력 약 20% 절감
정의식기자 |
2016.04.05 15:07:37
▲삼성전자의 세계 최초 ‘10나노급 8기가비트 D램’. (사진제공=삼성전자)
삼성전자는 지난 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급(1나노: 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램의 양산에 성공했다고 5일 밝혔다.
지난 2014년 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산했던 삼성전자가 또한번 반도체 미세공정의 한계를 돌파하며 메모리 기술의 새로운 이정표를 세운 것.
이번 제품에는 ‘초고집적 설계 기술’과 ‘사중 포토 노광 기술’, ‘초균일 유전막 형성 기술’ 등 3가지 혁신 기술이 적용됐다.
삼성전자는 올해 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC, 서버 시장에
이어 초고해상도 스마트폰 시장도 지속 선점한다는 전략이다.
향후 삼성전자는 PC용 4GB(기가바이트) DDR4 모듈을 시작으로 엔터프라이즈 서버용 128GB
모듈까지 풀 라인업을 구축하고, 초고용량 모바일 D램의 높은 수요 증가세에 맞춰 10나노급 생산 비중을 지속적으로 확대할 계획이다.
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